D44VH10G D44VH10G D44VH10G D44VH10G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  详细信息  

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极大电压 VCEO: 80 V

集电极—基极电压 VCBO: 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

集电极—射极饱和电压: 0.8 V

大直流电集电极电流: 15 A

增益带宽产品fT: 50 MHz

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

系列: D44VH

高度: 15.75 mm  

长度: 10.53 mm  

封装: Tube  

宽度: 4.83 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 15 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35  

Pd-功率耗散: 83 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 50  

子类别: Transistors  

单位重量: 6 g

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  详细信息  

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极大电压 VCEO: 80 V

集电极—基极电压 VCBO: 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

集电极—射极饱和电压: 0.8 V

大直流电集电极电流: 15 A

增益带宽产品fT: 50 MHz

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

系列: D44VH

高度: 15.75 mm  

长度: 10.53 mm  

封装: Tube  

宽度: 4.83 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 15 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35  

Pd-功率耗散: 83 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 50  

子类别: Transistors  

单位重量: 6 g