DMC3035LSD-13 DMC3035LSD-13 DMC3035LSD-13 DMC3035LSD-13

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 6.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms, 65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 4.3 nC, 4 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

高度: 1.5 mm  

长度: 5.3 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: DMC3035L  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

宽度: 4.1 mm  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 小值: 7.7 S, 5.2 S  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 851 mg

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 6.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms, 65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 4.3 nC, 4 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

高度: 1.5 mm  

长度: 5.3 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: DMC3035L  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

宽度: 4.1 mm  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 小值: 7.7 S, 5.2 S  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 851 mg